IGBT全称为绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种半导体器件。IGBT结构上同时拥有MOSFET和BJT（双极晶体管）两种器件的优点，具有高输入电阻和低输出电阻的特点。IGBT的工作原理是，当控制端施加正电压时，电子会被注入导通区，与P型区的空穴发生复合，从而形成电流。IGBT的锁定和解锁是通过控制端施加电压来实现的，因此可以实现快速开关。

IGBT是一种高压、高功率的半导体器件，广泛应用于各种交流电源、变频器、电动机驱动等电力电子设备中。与传统的开关管相比，IGBT具有更高的开关速度、更低的开关损耗和更高的效率。在电力电子领域，IGBT已经成为最重要的器件之一，其应用范围还在不断扩大。