MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应管，是一种常用的半导体器件。MOS管由金属、氧化物和半导体构成，分为n型和p型两种。

n型MOS管的n区域掺杂着大量的电子，而p型MOS管的p区域则掺杂着大量的空穴。在MOS管中，金属片作为栅极，可以改变n和p区之间的电场强度，从而控制电流的流动。

n型MOS管和p型MOS管的区别在于，它们的栅极控制的区域不同。n型MOS管的栅极控制的是n区域，p型MOS管的栅极则控制的是p区域。因此，在n型MOS管中，栅极的电压增加会使n区域的电子密度增加，从而导致电流的增加；而在p型MOS管中，栅极的电压增加会使p区域的空穴密度增加，从而导致电流的增加。

此外，n型MOS管和p型MOS管的导电方向也不同。n型MOS管是一个n-p-n三极管结构，电流从源极流向漏极，栅极控制的是源极和漏极之间的n区域。而p型MOS管是一个p-n-p三极管结构，电流从漏极流向源极，栅极控制的是漏极和源极之间的p区域。

综上所述，n型MOS管和p型MOS管的区别主要在于栅极控制的区域和导电方向不同。在实际应用中，可以根据具体的需求选择合适的MOS管，以达到最佳的电路性能。