MOS管是一种常用的半导体器件，它的全称是金属氧化物半导体场效应管。它的工作原理是通过控制栅极电压来改变导电区的电阻，从而控制电流的流动。

MOS管由源极、漏极和栅极三部分组成。其中源极和漏极之间的区域被称为导电区，它是由掺杂不同类型的半导体材料组成的。栅极则是由金属和氧化物组成的薄膜。

当栅极电压为0时，导电区内的电荷分布呈现出一定的规律。此时，导电区内的电荷会自发地形成一个电场，使得源极和漏极之间的电流可以自由地流动。

当栅极加上正电压时，栅极与导电区之间的氧化物薄膜上会形成一个电场。这个电场会影响导电区内的电荷分布，使得电荷集中在栅极与导电区之间的一小段区域内。这个区域的电阻变大，从而阻碍了电流的流动。因此，随着栅极电压的升高，电流的流动也会逐渐减小。

当栅极加上负电压时，栅极与导电区之间的电场方向相反。这个电场会使得导电区内的电荷集中在栅极与漏极之间的一小段区域内。这个区域的电阻变小，从而促进了电流的流动。因此，随着栅极电压的降低，电流的流动也会逐渐增加。

总结来说，MOS管通过控制栅极电压来改变导电区的电阻，从而控制电流的流动。这种工作原理使得MOS管在逻辑门、放大器等电子器件中得到广泛应用。